English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPB50R199CPATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPB50R199CPATMA1
摘要
MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 550 V 17A（Tc） 139W（Tc） PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
550 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
199 毫欧 @ 9.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 660µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1800 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
139W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IPB50R199
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPB50R199CP
IFEINFIPB50R199CPATMA1
IPB50R199CP-ND
IPB50R199CPATMA1TR
SP000236092
2156-IPB50R199CPATMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB50R199CPATMA1
相关文档
规格书
1(IPB50R199CP)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(IPB50R199CP)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 500V C3 Spice Model)
价格
数量: 5000
单价: $15.03761
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 2000
单价: $15.62502
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 1000
单价: $16.44739
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
替代型号
型号 : STB20N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 865
单价. : ¥27.51000
替代类型. : 类似
库存 : 865
单价. : ¥27.51000
替代类型. : 类似
型号 : STB24N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥23.45000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥23.45000
替代类型. : 类似
型号 : STB23NM50N
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥38.80000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥38.80000
替代类型. : 类似