FQB10N50CFTM-WS

元器件型号详细信息

原厂型号

FQB10N50CFTM-WS

摘要

MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 500 V 10A（Tc） 143W（Tc） D²PAK（TO-263）

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

800

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

FRFET®, QFET™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

610 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

60 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2210 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

143W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D²PAK（TO-263）

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

FQB10N50

其它名称

FQB10N50CFTMWS

FQB10N50CFTM_WSCT

FQB10N50CFTM

FQB10N50CFTM-WSTR

FQB10N50CFTM-WSDKR

FQB10N50CFTM_WS-ND

FQB10N50CFTM_WSCT-ND

FQB10N50CFTM_WSTR

FQB10N50CFTM_WSDKR-ND

FQB10N50CFTM-WSCT

FQB10N50CFTM_WSDKR

FQB10N50CFTM_WSTR-ND

FQB10N50CFTM_WS

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQB10N50CFTM-WS

价格

-

替代型号

型号 : FDB20N50F

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库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥32.28000
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制造商 : IXYS
库存 : 0
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制造商 : IXYS
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型号 : IXFA12N50P

制造商 : IXYS
库存 : 1
单价. : ¥34.26000
替代类型. : 类似

RN70C9310FRE6 337-041-500-103 ERJ-U01F1000C MPL-AT2010-R68 2007819-2

FQB10N50CFTM-WS

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