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GermanyIXFH58N20Q
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFH58N20Q
摘要
MOSFET N-CH 200V 58A TO247AD
详情
通孔 N 通道 200 V 58A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 29A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3600 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AD（IXFH）
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IXFH58
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFH58N20Q
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规格书
1(IXF(H,T)58N20Q)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017)
HTML 规格书
1(IXF(H,T)58N20Q)
价格
-
替代型号
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