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GermanyIXFT6N100F
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFT6N100F
摘要
MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
详情
表面贴装型 N 通道 1000 V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-268
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerRF™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.9 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1770 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
180W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-268
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
基本产品编号
IXFT6
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFT6N100F
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规格书
1(IXFH6N100F, IXFT6N100F)
HTML 规格书
1(IXFH6N100F, IXFT6N100F)
价格
-
替代型号
型号 : IXTT6N120
制造商 : IXYS
库存 : 300
单价. : ¥105.18000
替代类型. : 直接
库存 : 300
单价. : ¥105.18000
替代类型. : 直接
型号 : APT7M120S
制造商 : Microchip Technology
库存 : 0
单价. : ¥53.82088
替代类型. : 类似
库存 : 0
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