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GermanyFDD8778
元器件型号详细信息
原厂型号
FDD8778
摘要
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 35A（Tc） 39W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
845 pF @ 13 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
39W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
FDD877
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDD8778CT
FDD8778TR
FDD8778DKR
2156-FDD8778-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDD8778
相关文档
规格书
1(FDD8778/FDU8778)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 13/Aug/2020)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FDD8778/FDU8778)
价格
-
替代型号
型号 : IPD135N03LGATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 11,255
单价. : ¥6.92000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥6.92000
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