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GermanyIRFS38N20DPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFS38N20DPBF
摘要
MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 43A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
54 毫欧 @ 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
INFINFIRFS38N20DPBF
2156-IRFS38N20DPBF
64-2129PBF
64-2129PBF-ND
SP001571754
Q3139980
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFS38N20DPBF
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1(Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018)
HTML 规格书
1(IRF(B,S,SL)38N20DPbF)
仿真模型
1(IRFB38N20DPBF Saber Model)
价格
数量: 1000
单价: $12.27067
包装: 管件
最小包装数量: 1000
包装: 管件
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