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GermanySTV200N55F3
元器件型号详细信息
原厂型号
STV200N55F3
摘要
MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 200A（Tc） 300W（Tc） 10-PowerSO
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
600
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
10-PowerSO
封装/外壳
PowerSO-10 裸露底部焊盘
基本产品编号
STV200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-497-7028-1
1805-STV200N55F3TR
497-7028-6
-497-7028-2
1805-STV200N55F3CT
497-7028-2
1805-STV200N55F3DKR
497-7028-1
1026-STV200N55F3
-497-7028-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STV200N55F3
相关文档
规格书
1(STV200N55F3)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
视频文件
1(Motor Control in Electric Vehicles)
特色产品
1(MOSFETs in PowerSO-10 Package)
HTML 规格书
1(STV200N55F3)
价格
-
替代型号
型号 : IXTA200N055T2
制造商 : IXYS
库存 : 50
单价. : ¥33.63000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥33.63000
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