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GermanyHGTP5N120BND
元器件型号详细信息
原厂型号
HGTP5N120BND
摘要
IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
详情
IGBT NPT 1200 V 21 A 167 W 通孔 TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
21 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
40 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.7V @ 15V，5A
功率 - 最大值
167 W
开关能量
450µJ（开），390µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
53 nC
25°C 时 Td（开/关）值
22ns/160ns
测试条件
960V，5A，25 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
65 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220-3
基本产品编号
HGTP5N120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi HGTP5N120BND
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规格书
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环保信息
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PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Sep/2022)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 27/Dec/2022)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(TO220B03 Pkg Drawing)
价格
数量: 500
单价: $12.31884
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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