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元器件型号详细信息
原厂型号
IPSA70R600P7SAKMA1
摘要
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
详情
通孔 N 通道 700 V 8.5A（Tc） 43.1W（Tc） PG-TO251-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P7
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
600 毫欧 @ 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.5 nC @ 400 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
364 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
43.1W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO251-3
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
基本产品编号
IPSA70
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001664806
IPSA70R600P7S
IFEINFIPSA70R600P7SAKMA1
2156-IPSA70R600P7SAKMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPSA70R600P7SAKMA1
相关文档
规格书
1(IPSA70R600P7S)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021)
HTML 规格书
1(IPSA70R600P7S)
EDA 模型
1(IPSA70R600P7SAKMA1 by Ultra Librarian)
仿真模型
1(MOSFET CoolMOS™ P7 700V Spice Model)
价格
数量: 10000
单价: $2.91894
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $3.03296
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $3.1926
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $3.42063
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $4.33284
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $5.2451
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $6.725
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $7.55
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPS70R600P7SAKMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 281
单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似