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GermanyIRF8736PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF8736PBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
95
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.8 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2315 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001566542
2156-IRF8736PBF-IT
IFEINFIRF8736PBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF8736PBF
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规格书
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产品培训模块
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特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 组装/来源
1(Mult Mosfet Test/Fab Add 9/Oct/2017)
PCN 封装
()
PCN 零件状态变更
1(Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018)
EDA 模型
1(IRF8736PBF by SnapEDA)
仿真模型
1(IRF8736PBF Saber Model)
价格
-
替代型号
型号 : BSO040N03MSGXUMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,574
单价. : ¥12.56000
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型号 : RJK0349DSP-00#J0
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 直接
库存 : 0
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替代类型. : 直接
型号 : DMN3007LSS-13
制造商 : Diodes Incorporated
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型号 : SI4634DY-T1-GE3
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单价. : ¥6.42307
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型号 : AO4430
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库存 : 9,000
单价. : ¥7.71000
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型号 : SI4842BDY-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 1,687
单价. : ¥19.48000
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