元器件型号详细信息

原厂型号
STH410N4F7-2AG
摘要
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 200A(Tc) 365W(Tc) H2Pak-2
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.1 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
141 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
11500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
365W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
H2Pak-2
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
STH410

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

STH410N4F7-2AG-ND
497-16421-2

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STH410N4F7-2AG

相关文档

规格书
1(STH410N4F7-2AG, STH410N4F7-6AG)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(STH/STL 28/Aug/2018)
PCN 封装
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
HTML 规格书
1(STH410N4F7-2AG, STH410N4F7-6AG)
EDA 模型
1(STH410N4F7-2AG by Ultra Librarian)

价格

数量: 2000
单价: $27.40872
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 1000
单价: $28.85131
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000

替代型号

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