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GermanyFCB11N60TM
元器件型号详细信息
原厂型号
FCB11N60TM
摘要
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 11A（Tc） 125W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
SuperFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
380 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1490 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
FCB11N60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-FCB11N60TM
FCB11N60TM_NLCT
FCB11N60TM_NLTR-ND
FCB11N60TM_NLCT-ND
FCB11N60TM_NL
FCB11N60TMCT
FCB11N60TMCT-NDR
FCB11N60TMTR
FCB11N60TM_NLTR
FCB11N60TMTR-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FCB11N60TM
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规格书
1(FCB11N60)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Assembly Change 09/May/2023)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FCB11N60)
价格
数量: 800
单价: $17.26411
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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