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GermanySTB200N6F3
元器件型号详细信息
原厂型号
STB200N6F3
摘要
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 120A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
330W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
STB200N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-10025-1
-497-10025-6
1805-STB200N6F3CT
497-10025-2
1805-STB200N6F3DKR
-497-10025-2
-497-10025-1
497-10025-6
1805-STB200N6F3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STB200N6F3
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价格
数量: 100
单价: $32.2276
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,934
单价. : ¥36.01000
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单价. : ¥25.68000
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单价. : ¥27.11000
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型号 : NP82N055PUG-E1-AY
制造商 : Renesas Electronics America Inc
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型号 : IRF1405STRLPBF
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库存 : 0
单价. : ¥24.41000
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型号 : IPB019N06L3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 803
单价. : ¥28.46000
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库存 : 15,417
单价. : ¥43.09000
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库存 : 0
单价. : ¥15.34000
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型号 : IRFS3306TRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 15,839
单价. : ¥22.66000
替代类型. : 类似
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型号 : IRF2805STRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6,686
单价. : ¥23.21000
替代类型. : 类似
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替代类型. : 类似