元器件型号详细信息

原厂型号
BZX79C51 A0G
摘要
DIODE ZENER 51V 500MW DO35
详情
二极管 - 齐纳 51 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
带盒(TB)
产品状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
51 V
容差
±5%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗(最大值)(Zzt)
180 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
50 nA @ 35.7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 100 mA
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装
DO-35
基本产品编号
BZX79

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050

其它名称

BZX79C51 A0G-ND
BZX79C51A0G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C51 A0G

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规格书
1(BZX79C2V0 - BZX79C75)
环保信息
()
HTML 规格书
1(BZX79C2V0 - BZX79C75)
EDA 模型
1(BZX79C51 A0G by SnapEDA)

价格

-

替代型号

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制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 21,455
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : 1N5262B-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 77,920
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : BZX55B51-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,980
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 类似
型号 : BZX55C51-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 39,581
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : BZX55B56-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 29,256
单价. : ¥1.75000
替代类型. : 类似
型号 : BZX55C51-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 7,907
单价. : ¥1.83000
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单价. : ¥2.94000
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型号 : BZX55C56-TR
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 30,000
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似
型号 : 1N5263B-TAP
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 46,645
单价. : ¥1.83000
替代类型. : 类似