English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIPB80N06S207ATMA4
元器件型号详细信息
原厂型号
IPB80N06S207ATMA4
摘要
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.3 毫欧 @ 68A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3400 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IPB80N
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
INFINFIPB80N06S207ATMA4
SP001067870
2156-IPB80N06S207ATMA4
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB80N06S207ATMA4
相关文档
规格书
1(IPx80N06S2-07)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Sep/2022)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(IPx80N06S2-07)
仿真模型
1(OptimOS Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPB80N06S2H5ATMA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,000
单价. : ¥33.31000
替代类型. : MFR Recommended
库存 : 1,000
单价. : ¥33.31000
替代类型. : MFR Recommended
型号 : IXTA130N065T2
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : IXTA110N055T7
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : STB100N6F7
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥15.26000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥15.26000
替代类型. : 类似
型号 : FDB5800
制造商 : onsemi
库存 : 2,639
单价. : ¥23.21000
替代类型. : 类似
库存 : 2,639
单价. : ¥23.21000
替代类型. : 类似