DMN3200U-7

元器件型号详细信息

原厂型号

DMN3200U-7

摘要

MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 2.2A（Ta） 650mW（Ta） SOT-23-3

原厂/品牌

Diodes Incorporated

原厂到货时间

16 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

90 毫欧 @ 2.2A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

Vgs（最大值）

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

290 pF @ 10 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

650mW（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23-3

封装/外壳

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

基本产品编号

DMN3200

其它名称

-DMN3200U-7DIDKR

DMN3200U-7DIDKR

-DMN3200U-7DICT

DMN3200U-7DITR

DMN3200U-7-ND

-DMN3200U-7DITR

DMN3200U-7DICT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMN3200U-7

价格

数量: 75000

单价: $0.84195
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 30000

单价: $0.87484
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 15000

单价: $0.95378
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 6000

单价: $1.01955
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 3000

单价: $1.08532
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $1.18398
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $1.5787
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $2.1051
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $3.093
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $3.82
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $1.18398
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $1.5787
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $2.1051
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $3.093
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $3.82
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

SG73P2ETTD16R9F 74ACT11008DR RC2512JK-075R1L QMQF326T33-2.0A-18.432 HLE-112-02-G-DV-P-TR

DMN3200U-7

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