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20250501
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元器件资讯
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NCV5701BDR2G
元器件型号详细信息
原厂型号
NCV5701BDR2G
摘要
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
详情
高压侧或低压侧 栅极驱动器 IC 反相 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
73 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
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技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
allaboutcomponents.com 可编程
未验证
驱动配置
高压侧或低压侧
通道类型
单路
驱动器数
1
栅极类型
IGBT
电压 - 供电
20V
逻辑电压 - VIL,VIH
0.75V,4.3V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
20mA,15mA
输入类型
反相
上升/下降时间(典型值)
9.2ns,7.9ns
工作温度
-40°C ~ 125°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
NCV5701
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路(IC)/电源管理(PMIC)/栅极驱动器/onsemi NCV5701BDR2G
相关文档
规格书
1(NCV5701)
环保信息
()
PCN 封装
1(MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018)
HTML 规格书
1(NCV5701)
EDA 模型
1(NCV5701BDR2G by Ultra Librarian)
价格
数量: 5000
单价: $8.06253
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $8.37263
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
替代型号
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