元器件型号详细信息

原厂型号
PHC21025,118
摘要
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 30V 3.5A,2.3A 2W 表面贴装型 8-SO
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.5A,2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
100 毫欧 @ 2.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
250pF @ 20V
功率 - 最大值
2W
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
基本产品编号
PHC21025

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

568-11059-6-ND
934034320118
PHC21025 /T3-ND
PHC21025 /T3
1727-1543-6
1727-1543-1
1727-1543-2
568-11059-1
568-11059-2
568-11059-6
PHC21025,118-ND
568-11059-1-ND
568-11059-2-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Nexperia USA Inc. PHC21025,118

相关文档

规格书
1(PHC21025)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
1(Logo Marking Update 30/Nov/2016)
PCN 封装
()
EDA 模型
1(PHC21025 by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : IRF9952TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4,079
单价. : ¥7.55000
替代类型. : 类似