元器件型号详细信息

原厂型号
TSM070NA04LCR RLG
摘要
MOSFET N-CH 40V 91A 8PDFN
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 91A(Tc) 113W(Tc) 8-PDFN(5x6)
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
91A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1469 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
113W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PDFN(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
TSM070

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

TSM070NA04LCR RLGDKR
TSM070NA04LCR RLGCT
TSM070NA04LCR RLGCT-ND
TSM070NA04LCR RLGTR
TSM070NA04LCR RLGTR-ND
TSM070NA04LCRRLGDKR
TSM070NA04LCRRLGTR
TSM070NA04LCRRLGCT
TSM070NA04LCR RLGDKR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NA04LCR RLG

相关文档

规格书
1(TSM070NA04LCR)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev 17/Sep/2021)
HTML 规格书
1(TSM070NA04LCR)

价格

-

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