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GermanyPSMN1R8-30MLHX
元器件型号详细信息
原厂型号
PSMN1R8-30MLHX
摘要
MOSFET N-CH 30V 150A LFPAK33
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 150A（Ta） 106W（Ta） LFPAK33
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
15 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
58 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3125 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
106W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK33
封装/外壳
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
基本产品编号
PSMN1R8
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
934660529115
1727-PSMN1R8-30MLHXCT
1727-PSMN1R8-30MLHXDKR
1727-PSMN1R8-30MLHXTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. PSMN1R8-30MLHX
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规格书
1(PSMN1R8-30MLH)
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1(Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022)
PCN 封装
1(All Dev Label Chgs 2/Aug/2020)
HTML 规格书
1(PSMN1R8-30MLH)
EDA 模型
1(PSMN1R8-30MLHX by SnapEDA)
价格
数量: 10500
单价: $5.18079
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1500
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