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Germany2SA1162-GR,LF
元器件型号详细信息
原厂型号
2SA1162-GR,LF
摘要
TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 50 V 150 mA 80MHz 150 mW 表面贴装型 S-Mini
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
150 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值
150 mW
频率 - 跃迁
80MHz
工作温度
125°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
S-Mini
基本产品编号
2SA1162
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2SA1162-GR(T5L,F,T)
2SA1162-GR(TE85L,F))
2SA1162-GR,LF(T
2SA1162-GR(TE85LF)DKR
2SA1162-GRLFTRINACTIVE
2SA1162-GRCT
2SA1162S-GRLFCT-ND
2SA1162-GR(TE85LF))TR
2SA1162-GRLFCT
2SA1162S-GRLFTR
2SA1162-GRCT-ND
2SA1162-GR(TE85LF))CT
2SA1162-GR(TE85LF))TR-ND
2SA1162-GR(TE85LF)TR-ND
2SA1162-GR,LF(B
2SA1162-GRLFCTINACTIVE
2SA1162-GRTR
2SA1162S-GRLFTR-ND
2SA1162-GRDKR
2SA1162-GR(TE85LF)DKR-ND
2SA1162-GRLFTR
2SA1162SGRLF
2SA1162-GRLFDKRINACTIVE
2SA1162S-GRLFCT
2SA1162S-GRLFDKR-ND
2SA1162S-GR,LF
2SA1162S
2SA1162-GRLFDKR
2SA1162-GR(TE85LF)TR
2SA1162-GRTR-ND
2SA1162S-GRLFDKR
2SA1162-GR(TE85LF))DKR-ND
2SA1162-GR(TE85LF))CT-ND
2SA1162-GR(TE85LF)CT-ND
2SA1162-GR(TE85LF)CT
2SA1162-GR(TE85L,F)
2SA1162-GR(TE85LF))DKR
2SA1162-GRDKR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单双极晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-GR,LF
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1(General Purpose Discrete Items)
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