RS1E301GNTB1

元器件型号详细信息

原厂型号

RS1E301GNTB1

摘要

MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP

详情

表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Ta），80A（Tc） 3W（Ta） 8-HSOP

原厂/品牌

Rohm Semiconductor

原厂到货时间

17 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

30A（Ta），80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

2.2 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

39.8 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2500 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

3W（Ta）

工作温度

150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-HSOP

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

RS1E

其它名称

RS1E301GNTB1DKR

RS1E301GNTB1CT

RS1E301GNTB1TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor RS1E301GNTB1

价格

数量: 2500

单价: $7.06537
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $7.58875
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $9.15888
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $11.1477
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $13.872
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $15.42
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $7.58875
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $9.15888
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $11.1477
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $13.872
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $15.42
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : CSD17576Q5BT

制造商 : Texas Instruments
库存 : 477
单价. : ¥12.48000
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 100,000
单价. : ¥8.74000
替代类型. : 类似

型号 : CSD17576Q5B

制造商 : Texas Instruments
库存 : 393
单价. : ¥10.97000
替代类型. : 类似

型号 : CSD17303Q5

制造商 : Texas Instruments
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单价. : ¥13.91000
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型号 : BSC020N03LSGATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 18,893
单价. : ¥12.56000
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型号 : BSC0901NSIATMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4,338
单价. : ¥11.53000
替代类型. : 类似

BTE-040-04-L-D-A-TR 802-90-018-62-001000 7203J1V4QE2 D55342E07B24B9STI RM20J1R5CT

RS1E301GNTB1

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