English
Spain
Rusia
Italy
GermanySTGB4M65DF2
元器件型号详细信息
原厂型号
STGB4M65DF2
摘要
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 8 A 68 W 表面贴装型 D²PAK
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
M
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
16 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值
68 W
开关能量
40µJ（开），136µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
15.2 nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/86ns
测试条件
400V，4A，47 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
133 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK
基本产品编号
STGB4
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-16964-1
497-16964-2
497-16964-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGB4M65DF2
相关文档
规格书
1(STGB4M65DF2 Datasheet)
PCN 封装
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
HTML 规格书
1(STGB4M65DF2 Datasheet)
EDA 模型
1(STGB4M65DF2 by Ultra Librarian)
价格
数量: 2000
单价: $4.18443
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
替代型号
-