English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIXFV26N60P
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFV26N60P
摘要
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
详情
通孔 N 通道 600 V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
PolarHV™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
270 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4150 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
460W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PLUS220
封装/外壳
TO-220-3（SMT）标片
基本产品编号
IXFV26
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFV26N60P
相关文档
规格书
1(IXF(H,T,V)26N60P/PS)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 16/Dec/2013)
HTML 规格书
1(IXF(H,T,V)26N60P/PS)
价格
-
替代型号
型号 : STP18N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1
单价. : ¥18.05000
替代类型. : 类似
库存 : 1
单价. : ¥18.05000
替代类型. : 类似
型号 : SPP15N60C3XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥37.60000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥37.60000
替代类型. : 类似
型号 : APT28F60B
制造商 : Microchip Technology
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : STP22NM60N
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 986
单价. : ¥31.96000
替代类型. : 类似
库存 : 986
单价. : ¥31.96000
替代类型. : 类似
型号 : IPP60R280C6XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,490
单价. : ¥23.77000
替代类型. : 类似
库存 : 3,490
单价. : ¥23.77000
替代类型. : 类似
型号 : STP18NM60N
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥21.78000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥21.78000
替代类型. : 类似
型号 : FCP260N60E
制造商 : onsemi
库存 : 191
单价. : ¥25.68000
替代类型. : 类似
库存 : 191
单价. : ¥25.68000
替代类型. : 类似
型号 : FCP13N60N
制造商 : onsemi
库存 : 747
单价. : ¥36.01000
替代类型. : 类似
库存 : 747
单价. : ¥36.01000
替代类型. : 类似