English
Spain
Rusia
Italy
GermanySTG3P2M10N60B
元器件型号详细信息
原厂型号
STG3P2M10N60B
摘要
IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
详情
IGBT 模块 三相反相器 600 V 19 A 56 W 底座安装 SEMITOP®2
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
15
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
SEMITOP®
包装
散装
Product Status
停产
IGBT 类型
-
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
19 A
功率 - 最大值
56 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.5V @ 15V，7A
电流 - 集电极截止（最大值）
10 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
720 pF @ 25 V
输入
单相桥式整流器
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SEMITOP®2
供应商器件封装
SEMITOP®2
基本产品编号
STG3P2
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-5216
-497-5216
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/STMicroelectronics STG3P2M10N60B
相关文档
规格书
1(STG3P2M10N60B)
特色产品
1(Tail-Less 600 V IGBT V Series)
HTML 规格书
1(STG3P2M10N60B)
价格
-
替代型号
-