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GermanyCMZ18(TE12L,Q,M)
元器件型号详细信息
原厂型号
CMZ18(TE12L,Q,M)
摘要
DIODE ZENER 18V 2W MFLAT
详情
二极管 - 齐纳 18 V 2 W ±10% 表面贴装型 M-FLAT（2.4x3.8）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
18 V
容差
±10%
功率 - 最大值
2 W
阻抗（最大值）(Zzt)
30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
10 µA @ 13 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 200 mA
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOD-128
供应商器件封装
M-FLAT（2.4x3.8）
基本产品编号
CMZ18
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
264-CMZ18(TE12L,Q,M)CT
CMZ18(TE12LQM)
264-CMZ18(TE12L,Q,M)TR
264-CMZ18(TE12L,Q,M)DKR
CMZ18(TE12LQM)-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Toshiba Semiconductor and Storage CMZ18(TE12L,Q,M)
相关文档
规格书
1(CMZ12 - CMZ51)
EDA 模型
1(CMZ18(TE12L,Q,M) by Ultra Librarian)
价格
数量: 6000
单价: $1.41906
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $1.51035
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
替代型号
-