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GermanyNCP5109BMNTWG
元器件型号详细信息
原厂型号
NCP5109BMNTWG
摘要
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
详情
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 10-DFN（3x3）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
驱动配置
半桥
通道类型
独立式
驱动器数
2
栅极类型
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH
0.8V，2.3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
250mA，500mA
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
200 V
上升/下降时间（典型值）
85ns，35ns
工作温度
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
10-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
10-DFN（3x3）
基本产品编号
NCP5109
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
其它名称
NCP5109BMNTWGOSDKR
NCP5109BMNTWGOSTR
ONSONSNCP5109BMNTWG
2156-NCP5109BMNTWG-OS
NCP5109BMNTWGOSCT
2832-NCP5109BMNTWGTR
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/电源管理（PMIC）/栅极驱动器/onsemi NCP5109BMNTWG
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规格书
1(NCP5109A,B)
环保信息
()
特色产品
1(NCP510x High Voltage MOSFET and IGBT Gate Drivers)
HTML 规格书
1(NCP5109A,B)
价格
-
替代型号
-