元器件型号详细信息

原厂型号
STD180N4F6
摘要
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 80A(Tc) 130W(Tc) DPAK
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.8 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
130 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7735 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
130W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
STD18

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-497-16938-2
-497-16938-1
-497-16938-6
497-16938-2
497-16938-1
497-16938-6

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STD180N4F6

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PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Site Chg 8/Mar/2017)
HTML 规格书
1(STD180N4F6 Datasheet)

价格

数量: 100
单价: $9.4226
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $11.726
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $13.04
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $9.4226
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $11.726
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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