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20250710
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元器件资讯
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FF200R12KS4PHOSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
FF200R12KS4PHOSA1
摘要
IGBT MOD 1200V 275A 1400W
详情
IGBT 模块 半桥 1200 V 275 A 1400 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
8
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
Product Status
在售
IGBT 类型
-
配置
半桥
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
275 A
功率 - 最大值
1400 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.7V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值)
5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
13 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
FF200R12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FF200R12KS4P
SP001403816
2156-FF200R12KS4PHOSA1-448
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FF200R12KS4PHOSA1
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规格书
1(FF200R12KS4P)
价格
数量: 1
单价: $1554.84
包装: 托盘
最小包装数量: 1
替代型号
-
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