元器件型号详细信息

原厂型号
IXTP8N65X2
摘要
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
详情
通孔 N 通道 650 V 8A(Tc) 150W(Tc) TO-220
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
62 周
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
IXYS
系列
Ultra X2
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
500 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IXTP8

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/IXYS IXTP8N65X2

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规格书
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特色产品
1(Power MOSFETs 600 V to 700 V with HiPerFET™ Option - X2-Class Series)
HTML 规格书
1(650V Ultra Junction X2-Class POWER MOSFETs)

价格

数量: 300
单价: $12.9268
包装: 管件
最小包装数量: 300

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