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GermanyGAN063-650WSAQ
元器件型号详细信息
原厂型号
GAN063-650WSAQ
摘要
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
详情
通孔 N 通道 650 V 34.5A（Ta） 143W（Ta） TO-247-3
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
34.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1000 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
143W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
GAN063
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
1727-8711-6INACTIVE
1727-8711-1
1727-8711-2
2156-GAN063-650WSAQ
GAN063-650WSA
1727-8711-6
1727-8711-6-ND
1727-8711-1INACTIVE
1727-8711-2-ND
1727-GAN063-650WSAQ
1727-8711-1-ND
934660022127
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. GAN063-650WSAQ
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EDA 模型
1(GAN063-650WSAQ by Ultra Librarian)
价格
数量: 500
单价: $124.51976
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $137.1526
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $160.613
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $174.18
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
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