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GermanySPP20N60CFDHKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
SPP20N60CFDHKSA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
详情
通孔 N 通道 650 V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
220 毫欧 @ 13.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
124 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2400 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
208W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SPP20N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPP20N60CFDHKSA1
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规格书
1(SPP20N60CFD)
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1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
价格
-
替代型号
型号 : SPP20N65C3XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 470
单价. : ¥55.01000
替代类型. : 直接
库存 : 470
单价. : ¥55.01000
替代类型. : 直接
型号 : STP23N80K5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥45.08000
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库存 : 0
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型号 : TK16E60W5,S1VX
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
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单价. : ¥24.80000
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型号 : TK17E80W,S1X
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
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型号 : FCP190N65F
制造商 : onsemi
库存 : 800
单价. : ¥36.09000
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