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元器件型号详细信息
原厂型号
BSC0403NSATMA1
摘要
150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
详情
表面贴装型 N 通道 150 V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8-7
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™ 5
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 35A，10
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.6V @ 91µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2100 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC0403
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-BSC0403NSATMA1DKR
448-BSC0403NSATMA1TR
SP005399481
448-BSC0403NSATMA1CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC0403NSATMA1
相关文档
规格书
1(BSC0403NS)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 23/Sep/2022)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022)
PCN 组装/来源
1(Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022)
EDA 模型
1(BSC0403NSATMA1 by Ultra Librarian)
价格
数量: 100
单价: $15.8928
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $19.771
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最小包装数量: 1
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替代型号
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