English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRFL4105PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFL4105PBF
摘要
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 3.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
80
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 3.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
660 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IRFL4105PBF-IT
*IRFL4105PBF
INFINFIRFL4105PBF
SP001554918
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFL4105PBF
相关文档
规格书
1(IRFL4105PbF)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
设计资源
1(IRFL4105TR Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
HTML 规格书
1(IRFL4105PbF)
仿真模型
1(IRFL4105 Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : DMN6068SE-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 591
单价. : ¥4.77000
替代类型. : 类似
库存 : 591
单价. : ¥4.77000
替代类型. : 类似