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GermanyIRF6217TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF6217TRPBF
摘要
MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO
详情
表面贴装型 P 通道 150 V 700mA（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
700mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 欧姆 @ 420mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
150 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF6217TRPBFCT
IFEINFIRF6217TRPBF
IRF6217TRPBF-ND
SP001564832
2156-IRF6217TRPBF
IRF6217TRPBFDKR
IRF6217TRPBFTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF6217TRPBF
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1(Mult Dev Label Chgs Aug/2020)
PCN 组装/来源
1(Alternate Assembly Site 15/Apr/2014)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRF6217PbF)
仿真模型
1(IRF6217TRPBF Saber Model)
价格
-
替代型号
型号 : FDS6375
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥7.63000
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