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GermanyFDB8870
元器件型号详细信息
原厂型号
FDB8870
摘要
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 23A（Ta），160A（Tc） 160W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
23A（Ta），160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.9 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
132 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5200 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
160W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
FDB887
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-FDB8870-OS
FAIFSCFDB8870
FDB8870FSTR
FDB8870-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDB8870
相关文档
规格书
1(FDB8870)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
价格
-
替代型号
型号 : PSMN4R3-30BL,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
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型号 : STD155N3LH6
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,478
单价. : ¥16.93000
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型号 : IRL7833STRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,535
单价. : ¥17.81000
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单价. : ¥17.81000
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型号 : PSMN3R4-30BL,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 65
单价. : ¥12.64000
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单价. : ¥12.64000
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