元器件型号详细信息

原厂型号
ZXMP6A18KTC
摘要
MOSFET P-CH 60V 6.8A TO252-3
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 6.8A(Ta) 2.15W(Ta) TO-252-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
23 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
55 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
44 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1580 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.15W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
ZXMP6A18

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

ZXMP6A18KTC-ND
ZXMP6A18KTCTR
ZXMP6A18KTCCT
ZXMP6A18KTCDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated ZXMP6A18KTC

相关文档

规格书
1(ZXMP6A18K)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Die Layer Add 30/Nov/2018)
PCN 其他
1(Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013)
HTML 规格书
1(ZXMP6A18K)
EDA 模型
1(ZXMP6A18KTC by Ultra Librarian)

价格

数量: 12500
单价: $3.59005
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 1

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