SIR688DP-T1-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SIR688DP-T1-GE3

摘要

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK® SO-8

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

88 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

60A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

3.5 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.7V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

66 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

3105 pF @ 30 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

5.4W（Ta），83W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

基本产品编号

SIR688

其它名称

SIR688DP-T1-GE3DKR

SIR688DP-T1-GE3-ND

SIR688DP-T1-GE3TR

SIR688DP-T1-GE3CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIR688DP-T1-GE3

价格

数量: 3000

单价: $7.29104
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $7.83113
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $9.45132
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $11.5035
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $14.31
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $15.9
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $7.83113
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $9.45132
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $11.5035
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $14.31
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $15.9
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : RS1L145GNTB

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 1,386
单价. : ¥16.69000
替代类型. : 类似

型号 : RS1L120GNTB

制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 9
单价. : ¥13.91000
替代类型. : 类似

DF22R-1P-7.92DSA(05)13ME039 LTC3616IUDD#PBF 8D511J02HN SIT5356AE-FP-28VT-38.400000

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