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GermanyIPD60R520C6ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD60R520C6ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 8.1A（Tc） 66W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ C6
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
520 毫欧 @ 2.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 230µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
512 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
66W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD60R
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001117722
IPD60R520C6ATMA1-ND
IPD60R520C6ATMA1TR
IPD60R520C6ATMA1CT
IPD60R520C6ATMA1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD60R520C6ATMA1
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()
HTML 规格书
1(IPx60R520C6)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V C6 Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPD80R450P7ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥19.24000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥19.24000
替代类型. : 直接
型号 : STD11NM65N
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 9,173
单价. : ¥27.27000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥27.27000
替代类型. : 类似
型号 : STD12N65M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,505
单价. : ¥13.83000
替代类型. : 类似
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型号 : IXTY8N65X2
制造商 : IXYS
库存 : 20
单价. : ¥23.69000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥23.69000
替代类型. : 类似
型号 : IXTY8N70X2
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥26.31000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥26.31000
替代类型. : 类似
型号 : STD11N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥15.34000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥15.34000
替代类型. : 类似
型号 : TK9P65W,RQ
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 0
单价. : ¥6.96424
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥6.96424
替代类型. : 类似