元器件型号详细信息

原厂型号
SSM3K376R,LXHF
摘要
SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 4A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
56 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
+12V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
200 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Ta)
工作温度
150°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23F
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SSM3K376R,LXHF(B
264-SSM3K376RLXHFTR
264-SSM3K376RLXHFCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K376R,LXHF

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规格书
1(SSM3K376R)
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1(Term of Use Statement)

价格

数量: 75000
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