元器件型号详细信息

原厂型号
A2I08H040GNR1
摘要
IC RF LDMOS AMP
详情
RF Mosfet 28 V 25 mA 920MHz 30.7dB 9W TO-270WBG-15
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500

技术参数

制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
LDMOS
配置
频率
920MHz
增益
30.7dB
电压 - 测试
28 V
额定电流(安培)
-
噪声系数
-
电流 - 测试
25 mA
功率 - 输出
9W
电压 - 额定
65 V
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-270-15 变型,鸥翼
供应商器件封装
TO-270WBG-15
基本产品编号
A2I08

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.33.0001

其它名称

2832-A2I08H040GNR1
935320823528

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/RF FET,MOSFET/NXP USA Inc. A2I08H040GNR1

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规格书
1(A2I08H040(G)NR1)
环保信息
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(A2I08H040(G)NR1)

价格

-

替代型号

型号 : A2I09VD050GNR1
制造商 : NXP USA Inc.
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