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GermanyCSD18502KCS
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD18502KCS
摘要
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详情
通孔 N 通道 40 V 100A（Tc） 259W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
8 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.9 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
62 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4680 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
259W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
CSD18502
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
296-34940-5
-CSD18502KCS-NDR
296-34940-5-ND
2156-CSD18502KCS
296-CSD18502KCS
-296-34940-5-ND
-CSD18502KCSINACTIVE
296-34940-5-NDR
-296-34940-5
TEXTISCSD18502KCS
296-34940-5INACTIVE
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD18502KCS
相关文档
规格书
1(CSD18502KCS)
特色产品
1(Power Management)
PCN 组装/来源
1(Site Chg 25/Jan/2016)
制造商产品页面
1(CSD18502KCS Specifications)
HTML 规格书
1(CSD18502KCS)
EDA 模型
()
价格
数量: 5000
单价: $9.23436
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $9.58951
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $10.29988
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $12.43092
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $15.1304
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $18.825
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $20.99
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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