English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIXTV02N250S
元器件型号详细信息
原厂型号
IXTV02N250S
摘要
MOSFET N-CH 2500V 200MA PLUS220
详情
表面贴装型 N 通道 2500 V 200mA（Tc） 83W（Tc） PLUS-220SMD
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
2500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
450 欧姆 @ 50mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
116 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PLUS-220SMD
封装/外壳
PLUS-220SMD
基本产品编号
IXTV02
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXTV02N250S
相关文档
规格书
1(IXTx02N250(S))
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 03/Dec/2012)
HTML 规格书
1(IXTx02N250(S))
价格
-
替代型号
-