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GermanyIPB65R125C7ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPB65R125C7ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 18A（Ta） 101W（Tc） PG-TO263-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ C7
包装
卷带（TR）
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
125 毫欧 @ 8.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 440µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1670 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
101W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IPB65R
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IPB65R125C7ATMA1
SP001080134
INFINFIPB65R125C7ATMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB65R125C7ATMA1
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规格书
1(IPB65R125C7)
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特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev OBS 8/Feb/2019)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
PCN 零件状态变更
1(Mult Dev Wafer/MPN Chgs 17/May/2018)
HTML 规格书
1(IPB65R125C7)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V C7 Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPB65R125C7ATMA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥23.81704
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥23.81704
替代类型. : 直接
型号 : IPB60R080P7ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥47.62000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥47.62000
替代类型. : 直接
型号 : STB33N60DM2
制造商 : STMicroelectronics
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单价. : ¥39.99000
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制造商 : STMicroelectronics
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单价. : ¥52.86000
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型号 : STB33N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 26,648
单价. : ¥36.89000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥36.89000
替代类型. : 类似
型号 : STB34N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥51.99000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥51.99000
替代类型. : 类似