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GermanySUM110N04-2M1P-E3
元器件型号详细信息
原厂型号
SUM110N04-2M1P-E3
摘要
MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 29A（Ta），110A（Tc） 3.13W（Ta），312W（Tc） TO-263（D²Pak）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
29A（Ta），110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
360 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
18800 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），312W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263（D²Pak）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
SUM110
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SUM110N04-2M1P-E3-ND
SUM110N04-2M1P-E3CT
SUM110N04-2M1P-E3TR
SUM110N04-2M1P-E3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SUM110N04-2M1P-E3
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规格书
1(SUM110N04-2M1P)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 14/Mar/2018)
PCN 组装/来源
1(Assembly Site Add 9/Jun/2016)
HTML 规格书
1(SUM110N04-2M1P)
价格
-
替代型号
型号 : SUM40010EL-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
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型号 : PSMN1R1-40BS,118
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型号 : NP110N04PUG-E1-AY
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