元器件型号详细信息

原厂型号
IDWD10G120C5XKSA1
摘要
DIODE SIL CARB 1.2KV 34A TO247-2
详情
二极管 1200 V 34A 通孔 PG-TO247-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™+
包装
管件
Product Status
在售
技术
SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
1200 V
电流 - 平均整流 (Io)
34A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.65 V @ 10 A
速度
无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
80 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容
730pF @ 1V,1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-2
供应商器件封装
PG-TO247-2
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
基本产品编号
IDWD10

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

SP001687162
448-IDWD10G120C5XKSA1
IDWD10G120C5XKSA1-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Infineon Technologies IDWD10G120C5XKSA1

相关文档

规格书
1(IDWD10G120C5)
特色产品
1(Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs and Diodes)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021)
HTML 规格书
1(IDWD10G120C5)
EDA 模型
1(IDWD10G120C5XKSA1 by SnapEDA)

价格

数量: 1000
单价: $43.77797
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $46.59442
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $53.5087
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $64.63
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $71.55
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : FFSH10120A
制造商 : onsemi
库存 : 450
单价. : ¥66.30000
替代类型. : 直接