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20250411
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元器件资讯
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STGW15M120DF3
元器件型号详细信息
原厂型号
STGW15M120DF3
摘要
IGBT 1200V 30A 259W
详情
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 30 A 259 W 通孔 TO-247
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
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技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.3V @ 15V,15A
功率 - 最大值
259 W
开关能量
550µJ(开),850µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
226 nC
25°C 时 Td(开/关)值
26ns/122ns
测试条件
600V,15A,22 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
270 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
基本产品编号
STGW15
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-15057-5
-497-15057-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGW15M120DF3
相关文档
规格书
1(STGW(A)15M120DF3)
视频文件
1(Traction Inverter Power Stages in Electric Vehicles)
特色产品
1(M-Series IGBTs)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(New Molding Compound 13/Sep/2019)
HTML 规格书
1(STGW(A)15M120DF3)
EDA 模型
1(STGW15M120DF3 by Ultra Librarian)
价格
数量: 600
单价: $33.71262
包装: 管件
最小包装数量: 600
替代型号
-
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