CSD87503Q3E

元器件型号详细信息

原厂型号

CSD87503Q3E

摘要

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON

详情

MOSFET - 阵列 30V 10A（Ta） 15.6W 表面贴装型 8-VSON（3.3x3.3）

原厂/品牌

Texas Instruments

原厂到货时间

6 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Texas Instruments

系列

NexFET™

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

技术

MOSFET（金属氧化物）

配置

2 N 沟道（双）共源

FET 功能

-

漏源电压（Vdss）

30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

10A（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

13.5 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

17.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1020pF @ 15V

功率 - 最大值

15.6W

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerVDFN

供应商器件封装

8-VSON（3.3x3.3）

基本产品编号

CSD87503

其它名称

296-51022-6

296-51022-2

296-51022-1

CSD87503Q3E-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Texas Instruments CSD87503Q3E

价格

数量: 2500

单价: $5.72393
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $5.72393
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.25032
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 250

单价: $8.20428
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $8.7767
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 25

单价: $10.6848
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $11.257
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.56
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $5.72393
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.25032
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 250

单价: $8.20428
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $8.7767
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 25

单价: $10.6848
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $11.257
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.56
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

SN65HVD1792DR JDV2S07FSTPL3 CDLL4148 105-182JS ESQT-123-02-F-D-765

CSD87503Q3E

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