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GermanyTSM4435BCS RLG
元器件型号详细信息
原厂型号
TSM4435BCS RLG
摘要
MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 9.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21 毫欧 @ 9.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1900 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TSM4435BCS RLGDKR
TSM4435BCS RLGDKR-ND
TSM4435BCSRLGCT
TSM4435BCSRLGDKR
TSM4435BCSRLGTR
TSM4435BCS RLGCT
TSM4435BCS RLGTR
TSM4435BCS RLGTR-ND
TSM4435BCS RLGCT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM4435BCS RLG
相关文档
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 3/Aug/2018)
价格
-
替代型号
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