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最后更新

20250518
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STD11N65M2

元器件型号详细信息

原厂型号
STD11N65M2
摘要
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 7A（Tc） 85W（Tc） DPAK
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
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技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II Plus
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
670 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
410 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
85W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
STD11

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-497-15048-6
497-15048-6
497-15048-2
-497-15048-1
-497-15048-2
497-15048-1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STD11N65M2

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规格书
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1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
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1(Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018)
PCN 封装
1(Reel Design Change 22/Aug/2022)
HTML 规格书
1(ST(D, P, U)11N65M2)
EDA 模型
1(STD11N65M2 by Ultra Librarian)

价格

数量: 12500
单价: $5.8291
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $5.98249
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $6.2126
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $6.67275
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $8.05342
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $9.8022
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $12.195
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $13.59
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $6.67275
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $8.05342
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数量: 100
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最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $13.59
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IXTY4N65X2
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥22.02000
替代类型. : 类似

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